【摘要】通过等离子体增强化学气相沉积方法制备氢化非晶硅薄膜,薄膜的厚度约为200nm,再通过高温热退火处理形成致密度较好的、晶化率较高的、晶粒尺寸均匀的纳米硅量子点薄膜。
【关键词】
《课程教材教学研究(教育研究)》 2015-10-10
《课程教材教学研究(教育研究)》 2015-10-10
《科技经济导刊》 2015-10-10
《课程教材教学研究(教育研究)》 2015-10-10
《科技创新导报》 2015-10-13
《科技创新导报》 2015-10-13
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《科技创新导报》 2015-10-12
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